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新聞動態(tài)
07
2025-07
氧化鎵（Ga?O?）作為新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，憑借其超高的擊穿電場強(qiáng)度、優(yōu)異的耐高溫性能以及出色的 ...
30
2025-06
氮化鎵（GaN）是一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其高電子遷移率、高擊穿電壓和良好的高溫穩(wěn)定性，被 ...
17
2025-06
引言在集成電路制造過程中，氧化工藝是形成高質(zhì)量二氧化硅（SiO?）薄膜的關(guān)鍵步驟。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展 ...
09
2025-06
磁性材料或易受磁場影響的材料或器件，需要處于零磁場中測試。冷熱臺可利用磁屏蔽材料實現(xiàn)無磁場干擾下，進(jìn) ...
03
2025-06
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)作為氮化物材料外延生長的核心工藝，在LED、激光二極管等光電器 ...
26
2025-05
在MOCVD工藝中，外延薄膜的生長速率與溫度存在高度非線性關(guān)系，且溫度波動會直接影響薄膜的均勻性和結(jié) ...
19
2025-05
溫度均勻性在光刻工藝中的烘烤固化過程中至關(guān)重要，它直接影響光刻膠的固化質(zhì)量和最終的圖案質(zhì)量。溫度曲線 ...
12
2025-05
2025年4月26日上午，西安石油大學(xué)理學(xué)院黨委書記席利哲一行蒞臨光谷薄膜，開展本科人才培養(yǎng)方案調(diào)研 ...
07
2025-05
氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN-HEMT）因其優(yōu)異的耐高溫、高頻、高功率特性，在射頻通信、功率電子 ...
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