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學(xué)術(shù)知識(shí)
07
2025-07
氧化鎵（Ga?O?）作為新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，憑借其超高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、優(yōu)異的耐高溫性能以及出色的 ...
30
2025-06
氮化鎵（GaN）是一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其高電子遷移率、高擊穿電壓和良好的高溫穩(wěn)定性，被 ...
17
2025-06
引言在集成電路制造過(guò)程中，氧化工藝是形成高質(zhì)量二氧化硅（SiO?）薄膜的關(guān)鍵步驟。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展 ...
09
2025-06
磁性材料或易受磁場(chǎng)影響的材料或器件，需要處于零磁場(chǎng)中測(cè)試。冷熱臺(tái)可利用磁屏蔽材料實(shí)現(xiàn)無(wú)磁場(chǎng)干擾下，進(jìn) ...
03
2025-06
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)作為氮化物材料外延生長(zhǎng)的核心工藝，在LED、激光二極管等光電器 ...
26
2025-05
在MOCVD工藝中，外延薄膜的生長(zhǎng)速率與溫度存在高度非線性關(guān)系，且溫度波動(dòng)會(huì)直接影響薄膜的均勻性和結(jié) ...
19
2025-05
溫度均勻性在光刻工藝中的烘烤固化過(guò)程中至關(guān)重要，它直接影響光刻膠的固化質(zhì)量和最終的圖案質(zhì)量。溫度曲線 ...
21
2025-04
針對(duì)半導(dǎo)體器件在γ射線輻照環(huán)境下的低溫穩(wěn)定性問(wèn)題，嘉儀通采用液氮低溫恒溫器，結(jié)合精密源表與鈷源輻照裝 ...
25
2024-09
在導(dǎo)電高分子這一充滿活力的研究領(lǐng)域中，冷熱臺(tái)與霍爾效應(yīng)測(cè)試的結(jié)合無(wú)疑開啟了一扇通往深入理解與精準(zhǔn)應(yīng)用 ...
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